新洁能荣获2024年中国半导体行业功率器件十强企业

近日，新洁在中国半导体行业协会分立器件年会上，获年新洁能凭借在半导体功率器件领域的中国卓越表现和行业贡献，再次成功入选 “中国半导体功率器件十强企业”！半导自2016年以来，体行这已经是业功新洁能第八次获此殊荣，不仅是率器对企业技术实力与市场地位的认可，更是企业对企业持续创新、追求卓越的新洁肯定！

“中国半导体功率器件十强企业”评选由中国半导体行业协会发起，获年旨在表彰在功率半导体领域具有领先技术、中国市场影响力和创新能力的半导标杆企业。评选基于企业技术研发实力、体行市场占有率、业功产品可靠性及行业贡献等多维度综合评定，率器含金量极高。

作为功率器件领域的核心供应商，新洁能始终专注于 “高性能、高可靠性半导体功率器件”的研发与生产，不断突破各产品线技术瓶颈。目前已成功推出：

1、第三代SGT MOSFET系列产品，相比于第二代产品特征导通电阻Ron.sp 降低30%，FOM值降低30%，拓宽直流电机驱动、锂电池保护、AC/DC同步整流等广泛应用市场。

2、第七代IGBT系列产品，拥有业界领先水平的饱和压降和开关损耗的折中特性和超高电流密度，以1200V/160A、650V/200A超大电流单管产品为主导，不断拓展新能源等市场应用。

3、第四代SJ MOSFT系列产品，进一步降低特征导通电阻，提升器件的功率密度，在相同体积下可以大幅提升器件电流能力。同时，器件加入了开关特性优化设计，可以为系统EMC设计提供更大的余量。此外，该系列产品优化了器件的抗静电能力，提升了系统应用的可靠性。

4、Trench MOSFET G5系列产品，是新洁能新推出的高集成度短沟世代产品，集成度较上一代产品提高了1.5倍以上，Rsp以P30V为例降低50%以上。

5、第二代SiC MOSFET系列产品，通过创新性的结构设计与先进的，碳化硅材料工艺,实现高温工况下导通电阻特性的大幅优化,显著提升系统效率与可靠性，其雪崩耐量参数达到业界顶尖水平，可完美适配新能源汽车电驱、大功率充电模块、工业变频器等高频、高精度场景，并通过超越AEC-O101等车规级认证的严苛可靠性验证,确保产品在极端温度、机械应力及长期负载下的稳定表现。

6、IGBT系列模块搭载第七代IGBT芯片，实现更高功率密度和更低开关/导通损耗，低杂散电感设计，更低的热阻，拓宽光伏、储能、电机驱动等应用市场。

7、栅极驱动：涵盖硅基、碳化硅、氮化镓等功率器件驱动，电压范围覆盖25V~700V，近200款驱动覆盖Infineon/ON/TI全系列产品；

智能功率模块（IPM）：提供业内功率密度最大的半桥模块，实现“器件集成化、保护内置化、控制智能化”三大突破；

智能功率开关：涵盖过流/过温保护、双通道、过压保护、失地保护、状态诊断、负载开路保护、斜率控制等，能够实现高度集成化、主动安全防护、数字智能控制等;

高边静态驱动：可提供100%占空比驱动高边NMOS，在安全性、可靠性、和设计便捷性方面，全面超越了传统的开关方案；

音频功放（ClassD）：提供高达300V/600V耐压的Class D功放驱动，正快速取代传统模拟功放。

未来，新洁能将继续以创新为驱动，深耕功率半导体技术，为客户提供更优质的产品与解决方案，助力中国半导体产业高质量发展！

(责任编辑：探索)