GaN代工格局生变？台积电退场，纳微转单力积电谋新局

电子发烧友网综合报道近期，代电谋纳微半导体宣布将与力积电合作，工格共同推进业内领先的局生积电8英寸硅基氮化镓技术生产。

纳微半导体在公告中指出，变台力积电有着先进的退场180nm CMOS工艺能力，运用更小、纳微更先进的转单工艺节点，从而在性能、力积能效、新局集成度以及成本方面实现全面优化。代电谋

纳微半导体将通过力积电生产其100V至650V的工格氮化镓产品组合，以应对超大规模AI数据中心和电动汽车等48V基础设施对氮化镓技术日益增长的局生积电需求。根据公告，变台首批由力积电制造的退场器件预计将在今年第四季度完成认证。其中，纳微100V系列计划于2026年上半年开始在力积电投产，而650V的器件则将在未来12到24个月内从现有的供应商台积电逐步转移至力积电进行代工生产。

这一策略调整，能够更好地满足市场对于高效能氮化镓产品的需求，并进一步推动相关行业的技术进步与发展。

纳微宽禁带技术平台高级副总裁Sid Sundaresan博士表示：“在180nm工艺节点上进行8英寸硅基氮化镓的生产，使我们能够持续创新，实现更高功率密度、更快速度和更高效率的器件，同时提升成本控制、规模化能力和制造良率。”

值得关注的是，此前纳微半导体的氮化镓业务交由台积电生产。而台积电在近期被传出将退出氮化镓市场，竹科的晶圆厂相关产线将停止生产。就在7月3日，台积电发表声明表示，经过长期业务的完整评估后，公司决定在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）业务。“我们正与客户密切合作，确保顺利过渡，并在此期间继续致力于满足他们的需求。”

在这之前，台积电曾对氮化镓业务展示了积极的布局与进展。2024年初的年报显示，公司第二代650V/100V E-HEMT技术已完成可靠性验证，计划于2025年投产；同时，台积电也在积极推进8英寸氮化镓-on-硅（GaN-on-Si）技术的开发工作，预计该技术将于2026年开始投产。

但从当下的最新布局来看，台积电正在进行战略重心转移，剥离相对低利润的GaN代工业务，转向高性能计算，或者AI芯片等需求更高的领域、摩根士丹利全球半导体团队分析指出，台积电2025年底的CoWoS总产能约为70k，到了 2026年将达到约90-95k，增长33%。英伟达Blackwell架构GPU芯片需求强劲，揽下台积电七成CoWoS-L先进封装产能，除此之外，英伟达的Rubin在AI需求的带动下保持增量。AI领域的需求增长带动台积电先进封装业务的营收增长。台积电预计，2025年先进封装营收占比将超过10%，而2024年的营收占比仅为约8%。

尽管今年氮化镓市场经历了一些变动，例如专注于碳化硅和氮化镓等第三代半导体的Wolfspeed宣布进行破产重组，又如台积电决定退出氮化镓业务，氮化镓依然被视为未来的重要新兴技术之一。

作为氮化镓芯片领域的领导者，纳微半导体已经推出双向GaNFast功率芯片、电机驱动专用型GaNSense氮化镓功率芯片等产品。其中双向GaNFast功率芯片上通过合并漏极结构、双栅极控制及集成专利的有源基板钳位技术，实现双向开关的突破。其技术在AI数据中心、太阳能市场、电动汽车等多个领域取得进展。

在AI数据中心领域，纳微的氮化镓与碳化硅技术助力NVIDIA的800V高压直流（HVDC）架构，应用于功率超过1兆瓦的IT机架。在太阳能市场，650V双向GaNFast氮化镓功率芯片将用于太阳能能源解决方案提供商Enphase的下一代IQ9产品中。在电动汽车领域，其大功率GaNSafe技术也被用于商用车载充电机（OBC）应用领域。

那么在台积电离场之后，接下来有谁能接手呢？业内人士认为，台积电的硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术与力积电的工艺具有较高的兼容性，这使得包括纳微在内的客户在转单时具备较低的成本。此次变动是否将引发代工行业格局的调整，仍有待持续观察。

(责任编辑：焦点)